Cálculo Amplificador transistor baja señal

Entrada de Datos

Salida de Datos

E Vce
Icq (mA) Rb1
Re Rb2
Rc Zin
hfe Max. ΔIcq
hfe Tip. Av
hfe Min.

Δt

Rb Rl
Icb0 (microA)

E = tensión de alimentación Volt, Icq  = corriente de reposo en mA, Re = resistencia de emisor, Rl = resistencia de carga, hfeMax. = ganancia de corriente máxima, hfe Tip = ganancia de corriente típica, hfeMin = ganancia de corriente mínima, Δt = Variación temperatura estimada ºC, Rb = Paralelo Rb1  Rb2 estimado, Icb0 =  corriente de colector en corte (nanoA), Rc = resistencia de emisor

Vce = tensión que tendrá el transistor entre colector y emisor
Rb1 y Rb2 resistencias de polarización entregadas por el cálculo a partir de la estimación de Rb que deberá hacer tomando en cuenta no afectar la impedancia de salida de la etapa precedente
Zin =  impedancia de entrada del amplificador
ΔIcq = variación de la corriente de reposo para los datos entrados, principalmente la Δt
Av = ganancia de tensión del amplificador
Para mayores detalles vea consideraciones sobre cálculo de amplificador de baja señal con transistor bipolar